2025年6月19日下午，武汉大学陈志权教授在电子与信息工程学院会议室作了题为《硫族化合物中原子尺度空位缺陷调控及热电性能优化》的学术讲座。陈教授介绍了几种典型的硫族化物中空位缺陷调控及热电性能优化的研究进展。其团队利用正电子湮没谱学及其它方法系统研究了改变化学计量比及外部元素掺杂等手段对空位缺陷的调节。结果表明，空位缺陷调控对材料的电输运和热输运性能都有重要影响，是优化硫族化合物热电材料性能的有效手段。
与会师生对陈教授的到来表示热烈欢迎
会场上学术氛围浓烈，与会师生反响热烈，互动环节开展了有益的探讨。报告后师生提问踊跃，显示出本院师生对科技前沿的关注及对科学研究强烈热情。此次讲座有效拓宽了学生的学术视野，激励同学们投身科研事业。
